Das Schaltungsdesign ist ein Schlüsselfaktor für die überlegene Leistung des Sensors. Da das Ausgangssignal des Sensors ein sehr kleines Signal ist und das Nutzsignal durch Rauschen überlagert wird, ist es den Verlust nicht wert, weshalb es besonders wichtig ist, das Anti-Jamming-Design der Sensorschaltung zu verstärken. Vorher müssen wir die Ursache des Rauschens im Sensorkreis verstehen, um einen besseren Weg zu finden, um das Rauschen zu reduzieren. Im Allgemeinen gibt es sieben Haupttypen von Sensorkreisrauschen.
5. Transistorrauschen
Das Rauschen des Transistors umfasst hauptsächlich thermisches Rauschen, Schussrauschen und Flimmerrauschen.
Das thermische Rauschen wird durch die unregelmäßige thermische Bewegung der Ladungsträger verursacht, die den Körperwiderstand der drei Bereiche im BJT durchlaufen, sowie durch den entsprechenden Leitungswiderstand. Das von rbb erzeugte Geräusch ist das Hauptgeräusch.
Der Strom im sogenannten BJT ist nur ein Durchschnitt. Tatsächlich ist die Anzahl der Ladungsträger, die durch den Emitterübergang in den Basisbereich injiziert werden, zu jedem Zeitpunkt unterschiedlich, und daher weist der Emitterstrom oder der Kollektorstrom unregelmäßige Schwankungen auf, die ein Schrotrauschen erzeugen.
Das durch die schlechte Reinigung der Transistoroberfläche aufgrund des Halbleitermaterials und des Fertigungsprozesses verursachte Rauschen wird als Flimmerrauschen bezeichnet. Es hängt mit der Rekombination von Minoritätsträgern auf der Halbleiteroberfläche zusammen, die durch die Schwankung des Emitterstroms gekennzeichnet ist und deren spektrale Dichte des Stromrauschens umgekehrt proportional zur Frequenz ist, auch bekannt als 1 / f-Rauschen. Es spielt vor allem im Niederfrequenzbereich (unter kHz) eine große Rolle.
